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電子回路Ⅰ / Electronic Circuit I

単位数: 2. 担当教員: 吉信 達夫. 開講年度: 2024. 科目ナンバリング: TEI-ELE316J.

主要授業科目/Essential Subjects

授業の目的・概要及び達成方法等

Google Classroomのクラスコードは工学部Webページにて確認すること。
学部シラバス・時間割(https://www.eng.tohoku.ac.jp/edu/syllabus-ug.html)

【重要】授業に関する告知やレポート提出のため、Google Classroom に登録してください。

1.目的
情報化社会を支える基盤となる「電子回路」は,電子情報システム・応物系において,最も基礎となる考え方を与え,共有技術としても必須である。この授業では電子回路の解析と設計に必要な基礎について学ぶ。
2.概要
トランジスタ (BJT, FET) の構造,特性,等価回路表現(モデル)を基にして,アナログ電子回路の諸概念,回路方式や増幅機能について学ぶ。
3.達成目標等
この授業では,主に以下のような能力を修得することを目標とする。
・ トランジスタの構造,特性,等価回路表現(モデル)を理解し,説明することができる。
・ 電子回路モデルを作ることができ,その解析をすることができる。
・ アナログ増幅器の動作を理解し,設計することができる。

授業の目的・概要及び達成方法等(E)

The class code for Google Classroom can be found on the Web site of
the School of Engineering:
https://www.eng.tohoku.ac.jp/edu/syllabus-ug.html (JP Only)

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1. Objective:
Electronic circuits, which are the fundamental technology to support the present information society, is a key subject and is essential for shared technologies in our department. In this course, learn about the basics required for analysis and design of electronic circuits.
2. Abstract:
Based on the structure and characteristics of transistors (BJT and FET) and their equivalent circuits, learn about several design concepts of analog electronic circuits and their circuit configuration for amplification.
3. Goal:
The goal of this course is to acquire the following ability as
--to understand and explain the physical structure of transistors, their characteristics, and their equivalent circuits,
--to make electronic-circuit model and to analyze its performance,
--to understand the behavior of analog amplifiers and to design them.

他の授業科目との関連及び履修上の注意

「電気回路学基礎論」「電気回路学Ⅰ」「半導体デバイス」で習得した基本的知識をベースに講義を行う。

他の授業科目との関連及び履修上の注意(E)

This course assumes the basic knowledge learned in "Basic Circuit Theory", "Circuits I" and "Semiconductor Devices".

授業計画

1. 序論、半導体中のキャリア
2. ダイオード
3. バイポーラトランジスタ(BJT)
4. BJTのモデル
5. 電界効果トランジスタ(FET)
6. 回路解析の手法
7. BJTを用いた増幅回路
8. FETを用いた増幅回路
9. バイアス回路
10. 増幅回路の周波数特性
11. 差動増幅回路
12. 演算増幅器(1)
13. 演算増幅器(2)
14. 問題演習
15. まとめ

授業計画(E)

1. Introduction. Charge carriers in semiconductor.
2. Diode
3. Bipolar junction transistor (BJT)
4. Models of BJT
5. Field-effect transistor (FET)
6. Circuit analysis
7. BJT amplifiers
8. FET amplifiers
9. Bias circuit
10. Frequency characteristics of amplifiers
11. Differential amplifier
12. Operational amplifier (1)
13. Operational amplifier (2)
14. Exercises
15. Summary

授業時間外学習

自学自習にあたっては,その日の講義テーマについて予め教科書の該当部分を読み,講義終了後は関連する演習問題を解く等,予習と復習を行うこと。

授業時間外学習(E)

Students are supposed to read and study the corresponding part of the textbook prior to a lecture and to solve the problems after a lecture.

成績評価方法及び基準

定期試験の成績によるが,必要に応じてレポートの成績等を加味する。なお、定期試験が実施できない場合、改めて通知して、レポートによって評価する。

成績評価方法及び基準(E)

Grading is based on the result of the final exam with reports taken into account. In case the final exam is not conducted, students will be notified and grading will be based on reports.

教科書および参考書

  • 電子情報回路 I, 樋口,江刺著, 森北出版 (2014) ISBN/ISSN: 4627712316 資料種別:教科書
  • 半導体デバイス, 古川, コロナ社 ISBN/ISSN: 4339000248 資料種別:参考書

オフィスアワー

質問はGoogle Classroom内で受け付ける。

オフィスアワー(E)

Students are advised to ask questions in Google Classroom.

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